آدرس : استان کهگیلویه و بویراحمد-شهرستان یاسوج-۴۵ متری ارم-ارم ۱۳-پلاک ۴
تلفن منزل:۳۳۵۳۰۹۴-۰۷۴۱ تلفن همراه:۰۹۱۷۷۴۱۴۹۷۴
چکیده پایان نامه (شامل خلاصه، اهداف، روش های اجرا و نتایج به دست آمده) :
پیشرفتهای اخیر در زمینه فناوری نانو، علاقهمندی به مطالعهی ویژگیهای فیزیکی نقاط کوانتمی نیمرسانا را افزایش داده است. محدودیت سهبعدی در این نانوساختارها، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی شده و ویژگیهای فیزیکی جالبی را که در مواد کپهای موجود نمیباشد، را در این ساختارها ایجاد میکند. بهعلت پیدایش این ویژگیهای نوین و همچنین امکان کاربرد در صنعت، نقاط کوانتمی نیمرسانا بهعنوان یک انتخاب مناسب در ساخت قطعات اپتوالکترونیکی معرفی شدهاست.
در این رساله یک نقطه کوانتمی دوبعدی دیسک شکل را در نظر گرفته و تاثیر اندازه نقطه و قدرت میدان مغناطیسی را بر ترازهای انرژی و پراکندگی رامان در این نانوساختارها مطالعه میکنیم. بدین منظور، ویژه مقدارهای انرژی به صورت تابعی از شعاع نقطه و اندازه میدان مغناطیسی محاسبه شدهاست. نتایج نشان میدهند که با افزایش شعاع نقطه ترازهای انرژی کاهش مییابند. همچنین ملاحظه میشود که با افزایش میدان مغناطیسی برخی از ترازها افزایش و برخی دیگر کاهش مییابند. علاوه براین، با افزایش میدان مغناطیسی حالتهای تقاطع و پادتقاطع (هنگامی که شکاف بین حالتها کاهش یافته به کمترین میزان خود رسیده و دوباره افزایش یابد) زیر نوارها ممکن است رخ دهد.
( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )
وابستگی سطح مقطع دیفرانسیلی به میدان مغناطیسی خارجی و شعاع نقطه نیز بررسی شدهاست. نتایج نشان میدهند که میدان مغناطیسی و شعاع نقطه تاثیر بهسزایی بر مکان تکینگیها در طیف گسیلی دارند. علاوه براین، میتوان فرکانس گذار در طیف رامان را با تغییر میدان مغناطیسی و اندازه نقطه کنترل نمود. همچنین، نتایج نشان میدهند که قطبش نور فرودی و پراکنده شده تاثیر چشمگیری بر اندازه قلهها دارد.
نظر استاد راهنما برای چاپ در پژوهش نامه دانشگاه مناسب است/ مناسب نیست تاریخ و امضاء
فهرست مطالب
عنوان صفحه
فصل اول
مقدمهای بر پراکندگی رامان…………………………………………………………………………………………………۱
۱-۱ مقدمه………………………………………………………………………………………………………………………..۲
۱-۲ تاریخچه…………………………………………………………………………………………………………………….۳
۱-۳ کاربردهای مهم پراکندگی رامان در فناوری نانو ……………………………………………………………..۵
۱-۴ نانوفناوری چیست؟…………………………………………………………………………………………………….۵
۱-۵ پیشگامان نانوفناوری……………………………………………………………………………………………………۶
۱-۶ خواص نانومواد………………………………………………………………………………………………………….۷
۱-۷ روشهای تولید نانوذرات……………………………………………………………………………………………۸
۱-۸ مقدمهای بر نیمرساناها……………………………………………………………………………………………….۹
۱-۹ طبقه بندی نانوساختارها……………………………………………………………………………………………….۱۰
فصل دوم
فرمولبندی پراکندگی رامان……………………………………………………………………………………………….۱۴
۲-۱ سطح مقطع رامان………………………………………………………………………………………………………۱۵
۲-۲ سطح مقطع دیفرانسیلی پراکندگی چاه کوانتمی……………………………………………………………..۱۷
الف
۲-۲-۱ شدت پراکندگی رامان………………………………………………………………………………….۱۹
۲-۳ سطح مقطع دیفرانسیلی برای چاهسیمهای کوانتمی و سیمهای ساده کوانتمی………………….۲۸
۲-۳-۱ شدت پراکندگی رامان……………………………………………………………………………….۳۰
۲-۴ سطح مقطع دیفرانسیلی برای نقطه کوانتمی………………………………………………………………..۳۶
۲-۴-۱ شدت پراکندگی رامان………………………………………………………………………………..۳۷
فصل سوم
بررسی سطح مقطع پراکندگی نقطه کوانتمی بر اساس قطبشهای متفاوت……………………………..۴۲
۳-۱ معادله شرودینگر…………………………………………………………………………………………………….۴۳
۳-۱-۱ معادله شرودینگر در نقطه کوانتمی………………………………………………………………..۴۴
۳-۲ سطح مقطع پراکندگی رامان…………………………………………………………………………….۴۷
۳-۳ محاسبات عددی……………………………………………………………………………………………………۵۰
فصل چهارم
نتیجه گیری و پیشنهادات………………………………………………………………………………………………….۵۷
۴-۱ نتایج……………………………………………………………………………………………………………………..۵۸
۵-۱ پیشنهادات……………………………………………………………………………………………………………..۶۰
منابع و مآخذ…………………………………………………………………………………………………………………۶۱
چکیده انگلیسی…………………………………………………………………………………………………………….
ب
فهرست اشکال
عنوان صفحه
شکل ۱-۱ نمایش ساختار نواری برای الف) رسانا، ب) نیمرسانا، ج)عایق…………………………….۹
شکل ۱-۲ ساختار یک چاه کوانتمی نیمرسانا…………………………………………………………………..۱۱
شکل ۱-۳: ساختار یک سیم کوانتمی نیمرسانا………………………………………………………………….۱۲
شکل ۱-۴: ساختار چاه، سیم و نقطه کوانتمی…………………………………………………………………..۱۳
شکل ۲-۱: طیف گسیلی پراکندگی الکترونی رامان در چاه کوانتمی با قطبش و عرض چندگانه……………………………………………………………………………………………………………………..۲۷